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芯原标准设计平台用于中芯国际低漏电工艺电子设备行业资讯资讯-【新闻】

发布时间:2021-04-05 20:15:19 阅读: 来源:矿用通信电缆厂家

芯原股份有限公司(VeriSilicon Holdings Co., Ltd.,简称“芯原”)和中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)日前共同宣布,推出用于中芯国际0.13μm低漏电工艺的芯原标准设计平台(Standard Design Platform,简称SDP)。该SDP包括用于单端口和双端口静态存储器(SRAM)的存储器编译器、扩散可编程只读存储器(ROM)、双端口寄存器文件编译器、标准单元库以及I/O单元库。

据介绍,这种新的SDP被特别优化,适用于低漏电和低电源,并且已经通过中芯国际的0.13μm Low Leakage Silicon Shuttle Prototyping Service在硅中得到证明。此外,这种SDP支持业界领先的EDA工具,包括Cadence、Synopsys、Magma和Mentor Graphics。

芯原董事长、总裁兼首席执行官Wayne Dai博士表示:“全球数百个客户已经将芯原的SDP用于他们的设计中,许多复杂的百万门的系统级芯片(SoC)已经实现了首个硅成功并且开始了批量生产。我们已经为这种新推出的SDP开发了低漏电和低电源技术、特别为中芯国际的0.13um低漏电工艺进行了优化;这项技术能显著降低集成电路(IC)电能消耗,从而实现电池支持的应用产品(如手持设备)的优化使用。”

出自:国际电子商情

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